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triphenylsulfonium 4-(vinyl)benzenesulfonate

ProductNum CAS No. MDL No. PubChem ID Formula MW Purity Appearance
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Product Name triphenylsulfonium 4-(vinyl)benzenesulfonate
CAS0-0-YH84009
ProductNumYH84009
FormulaC26H22O3S2
MW446.591

三苯基硫鎓-4-(乙烯基)苯磺酸鹽(Triphenylsulfonium 4-(vinyl)benzenesulfonate是一種高效光酸生成劑,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及微電子加工領(lǐng)域,特別是高分辨率光刻工藝。該化合物具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,能在紫外光或電子束照射下分解生成強(qiáng)酸,促進(jìn)光刻膠的顯影反應(yīng),為先進(jìn)集成電路和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制造提供支持。

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【物理性質(zhì)】

1.基本性質(zhì)

分子式:C26H22O3S2

分子量:446.591 g/mol

外觀:白色或淡黃色固體粉末

純度:≥99.0%

2.溶解性

易溶于大多數(shù)極性有機(jī)溶劑(如甲醇、乙腈等)。

在水中的溶解性較低,適用于有機(jī)基光刻膠體系。

3.化學(xué)特性

光敏性:在紫外光照射下分解,生成強(qiáng)酸。

穩(wěn)定性:在避光、干燥條件下儲存具有優(yōu)異的穩(wěn)定性,適合長時間儲存和運輸。

4.儲存條件

儲存在干燥、陰涼處,避光保存,建議溫度在5–25°C之間。

【應(yīng)用領(lǐng)域】

1.光刻工藝

用作電子級光刻膠中的光酸生成劑,能夠顯著提升光刻膠的光敏性能。支持深紫外(DUV)和極紫外(EUV)光刻工藝,可實現(xiàn)亞微米級和納米級圖形加工。

2.微電子加工

在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中,用于制造高精度的器件結(jié)構(gòu),如傳感器、微執(zhí)行器等。用于高密度存儲芯片、處理器等先進(jìn)集成電路制造,滿足高精度圖形轉(zhuǎn)移需求。

3.特殊涂層與薄膜

用于光敏涂層和功能性薄膜的制備,特別是在光學(xué)元件及顯示技術(shù)中??勺鳛楣忭憫?yīng)材料的關(guān)鍵組分,用于調(diào)節(jié)材料性能。

【總結(jié)】

三苯基硫鎓-4-(乙烯基)苯磺酸鹽以其高效的光酸生成能力和穩(wěn)定的物化性質(zhì),在半導(dǎo)體光刻膠和微納米加工領(lǐng)域占有重要地位。其在深紫外光刻及高分辨率圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用,使其成為先進(jìn)光刻技術(shù)的重要支持材料之一。


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86-571-82693216
CS
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